中國存儲行業領軍企業紫光集團董事長趙偉國

自2016年以來，在韓國三星、海力士等上游DRAM、NANDA閃存生產廠商推動下，世界範圍內內存、固態硬盤價格暴漲。以中國市場主流的8G DDR4內存為例，由人民幣200元（1元人民幣約合0.157美元）左右上漲到近千元人民幣，價格暴漲4倍，固態硬盤價格也翻了翻。以至於，有媒體戲稱2016至2017年度中國最佳理財產品，不是中國人最為熟悉的房屋，而是內存條。

在價格暴漲的背後，三星等公司利潤暴漲。2017年，三星電子半導體業務收入為612.15億美元，相比2016年增長52.6%，首次超越英特爾成為全球最大芯片廠商，這也是自1992年以來英特爾首次失去全球最大芯片廠商地位。2017年第四季度三星電子運營利潤為15.15萬億韓元（1韓元約合0.000,93美元），較上年同期增長64.2%，其中半導體業務營業利潤就達10.9萬億韓元，是去年同期的一倍以上，占整個三星電子營業利潤的三分之二以上。三星電子曾經引以為傲的手機、家電、液晶面板等業務儘管收入遠超半導體，利潤卻僅占不到三分之一。

在三星、海力士等上游廠商獲取暴利的背後是“天下苦三星久矣！”這樣的情況將在不久的將來得到改變，因為中國廠商加入到了DRAM、NANDA閃存市場中來。尤其是最近，一款百分百純中國產固態硬盤低調地問世了。

所謂DRAM，即“動態隨機存儲器”，主要用於系統內存（即RAM）；所謂NAND閃存，即一種存儲設備，主要用於計算機、手機硬盤（即ROM）。固態硬盤即是以NAND閃存為存儲介質的硬盤，讀取性能遠優於傳統的機械硬盤。其主要難點，一在於NAND閃存的生產，一在於主控芯片的研發，核心仍是半導體產業。

三星等公司之所以賺取暴利，就在於壟斷了全球NAND閃存、DRAM的生產，但近年來中國公司已介入了這兩個領域。2016年，紫光集團、國家集成電路產業投資基金、湖北國芯產業投資基金（有限合夥）、湖北省科技投資集團共同投資240億美元，在武漢發起成立國家存儲器基地——長江存儲，計劃建設3座3D-NAND閃存工廠。第一座工廠於2016年9月建成，2018年4月清華紫光就宣布長江存儲基地已經實現了32層64G存儲器的小規模量產，下一步將攻關目前最先進的64層3D-NAND閃存技術。

相比NAND閃存，DRAM的技術難度要高很多。然而，2017年末，清華紫光已經發布了4G DDR3內存產品，儘管相比當今市場主流的DDR4內存，以及正在攻關的DDR5、DDR6內存，清華紫光在技術上仍存在很大差距，但畢竟已經解決了有無問題。實際上清華紫光也認識到了這一問題，並未大規模量產DDR3內存，而是加緊攻關DDR4內存技術。此外，合肥長鑫、福建晉華集團等企業也介入到了DRAM產業中。

在固態硬盤主控芯片領域，長期以來都是美國以及台灣地區廠商的天下。2017年11月，總部位於湖南長沙的國科微電子股份有限公司，推出了中國首款具備完全知識產權的存儲主控芯片GK2301，並獲得了中國信息安全測評中心、國家密碼管理局認證。

正是在中國突破NAND閃存、主控芯片技術的條件下，由中國最大民營存儲產品生產企業，因其註冊品牌“光威”與一家漁具生產廠同名而被網友稱之為“魚竿廠”的深圳嘉合勁威，推出了中國第一款百分百國產的固態硬盤——光威-奕系列。光威-奕系列固態硬盤採用國科微的GK2301主控芯片以及清華紫光的3D-NAND閃存。在嘉合勁威官網的新聞稿中，還公布了該款固態硬盤的性能測試結果，處於市場主流水準。

光威-奕系列固態硬盤、清華紫光4G DDR3內存只是一個開始，在不壯大的產業鏈上游中國DRAM、NAND閃存廠商以及主控芯片企業的支撐下，國產內存、固態硬盤將越來越多。相對於處理器、操作系統等需要搭建一整個生態系統不同，內存、固態硬盤作為存儲介質要容易介入、發展起來得多，以此作為中國介入半導體行業的突破口也是一個不錯的選擇。

唯一需要注意的是，半導體行業投資通常是反周期的，在行業低潮投資，到高潮來臨時正好收割紅利。韓國三星等正是在政府支持下，通過價格戰，人為製造行業低潮，將眾多對手拖垮，從而獲得如今的壟斷地位的。目前，半導體行業處於高利潤時期，隨着中國的介入，內存、固態硬盤“白菜化”時代將會來臨，三星等廠商也必然會祭出價格戰手段與中國廠商競爭，整個行業都將面臨價格下降、利潤降低甚至虧損的局面，此時更需要國家一以貫之的支持。誰能熬過行業低潮，誰就有可能成為未來的半導體巨頭。