中国光刻机在科学的春天活活冻死了中国光刻机研发历史:在科学的春天活活冻死了by:京兑冰 2022/01/211965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。1970年代,中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。.1972年,武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。1977年,我国最早的光刻机-GK-3型半自动光刻机诞生,这是一台接触式光刻机。1978年,1445所在GK-3的基础上开发了GK-4,但还是没有摆脱接触式光刻机。1980年,清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功,光刻精度达到3微米,接近国际主流水平。1981年,中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。1982年,科学院109厂的KHA-75-1光刻机,这些光刻机在当时的水平均不低,最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。1985年,机电部45所研制出了分步光刻机样机,通过电子部技术鉴定,认为达到美国4800DSW的水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机,中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。但是很可惜,光刻机研发至此为止,中国开始大规模引进外资,有了"造不如买”的思想。光刻技术和产业化,停滞不前。放弃电子工业的自主攻关,诸如光刻机等科技计划被迫取消。九十年代以来,光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年,这个技术非常关键,这直接导致ASML和台积电在线如此强势的关键。直到二十一世纪,中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目,足足落后ASML20多年。进入二十一世纪, 光刻机研发重新被国家所重视,并于2002年成立SMEE,“我们现在做这个东西,难度不亚于生产大飞机,影响力不低于当初研究原子弹。”2002年,刚刚成立的SMEE上海微电子装备有限公司承担了“十五”光刻机攻关项目,中电科45所把此前从事分步投影光刻机的团队迁到了上海,参与这个项目。2008年,“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项将ASML的EUV技术列为下一代光刻技术重点攻关的方向。国家计划在2030年实现EUV光刻机的国产化;2015年4月,北京华卓精科科技股份有限公司“65nmArF干式光刻机双工件台”通过整机详细设计评审,具备投产条件。2016年,上海微电子已经量产90纳米、110纳米和280纳米三种光刻机。2017年6月21日,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头研发的“极紫外光刻关键技术”通过验收。2018年11月29日,中科院研制的“超分辨光刻装备”通过验收。光刻分辨力达到22纳米,结合双重曝光技术后,未来还可用于制造10纳米级别的芯片。SMEE(上海微电子)计划2021年交付首台国产的28nm的immersion光刻机,和世界上最先进的ASML公司仍然具有20年左右的差距。
全面超过西方的这个“全面”是大有问题。大部分超过西方就是超过西方,没必要“全面”超过西方。
半导体生产是最难超过西方东东,可能超过美国没那么难,但难以超过西方。
"ASML光刻机是整个西方加日本韩国合作的最高成果,中国追不上没啥意外。"
记得在哪儿看到的数据,中国的理工科毕业生比整个西方发达国家的理工科毕业生还要多。总人口数也类似。所以中国全面超过外国,才不意外。更何况中国不是不能借鉴外国已有的成就,追赶比创新更容易。过几年追上了,不意外。
是啊,都不意外。寄望后续,功夫不负有心人。
ASML光刻机是整个西方加日本韩国合作的最高成果,中国追不上没啥意外。
上海微电子计划2021年研制成功的光刻机并没有成功。
邓小平的境界和格局,决定了他无力领导中共和带领中国走向真正的强大。
可能和大飞机下马一样,都出自邓小平决策。