中國科技巨頭華為高管透露，中國正研發製造先進晶片所需的極紫外光刻（EUV）設備，但現階段國內製造先進晶片仍依賴深紫外光刻（DUV）技術。
華為10月6日在社交平台X發布9月29日國際媒體圓桌會議摘要。華為常務董事、終端業務集團董事長余承東在會上與多家國際媒體交流，談及華為晶片技術及鴻蒙生態系統等議題。
余承東在回應有關人工智能（AI）、硬件及光刻技術的提問時說，EUV設備是製造先進晶片的關鍵，中國目前正研發相關設備，但國內現階段仍依靠DUV技術。他未進一步透露EUV設備的研發進度或量產時間表。
在先進半導體技術獲取受限的背景下，華為正通過其他技術途徑提升晶片性能。余承東指出，華為研發的“邏輯摺疊”（LogicFolding）技術，就是在部分關鍵技術獲取受限的情況下，提升晶片性能的一種方法。
他解釋，智能手機的主處理器需要先進製程，但許多其他零部件對製程的要求相對較低。因此，華為採取系統工程的方法，通過軟硬件協同優化整體性能，彌補無法獲得更先進製程技術的不足。
余承東也指出，中國目前的先進半導體產能仍無法滿足快速增長的需求，包括華為用於AI領域的昇騰晶片，也需要使用相關產能。但華為已制定涵蓋智能手機晶片的需求規劃，目前產能雖然緊張，但基本足以滿足市場出貨需求。
華為10月1日發布的Mate 90系列旗艦手機，部分型號搭載採用邏輯摺疊技術的麒麟9050 Pro晶片。這項技術通過垂直堆疊晶片邏輯層，並利用高密度層間互連重新設計電路布局，以縮短信號傳輸路徑、降低延遲，提升晶片性能。
余承東稱，搭載麒麟9050 Pro晶片的Mate 90 Pro Max等機型，整機性能較上一代提升31%。華為未來也將在更多智能手機中採用邏輯摺疊技術。
華為半導體業務負責人何庭波今年5月曾提出“韜定律”，預計到2031年，採用相關技術的高端晶片，其晶體管密度可達到相當於1.4納米製程的水平，但這不等同於掌握1.4納米晶片製造工藝。
