路透社引述知情者稱，三星電子和SK海力士正在評估中國中微公司的晶片製造設備，以考慮是否用於在華的工廠。圖為三星電子的品牌標識。 （路透社檔案照片）

（華盛頓／首爾／上海綜合訊）韓國存儲晶片巨頭三星電子和SK海力士據報正在測試和評估中國中微公司的晶片製造設備，考慮用於公司在中國的工廠，以規避美國加強出口管制帶來的風險。 

路透社星期三（8月5日）引述兩名消息人士稱，約兩年前，三星電子和SK海力士就開始測試中微公司的刻蝕設備；彼時美國能否持續對中國出口晶片製造設備充滿變數。

消息人士稱，包括長江存儲在內的中國領先晶片製造商，已經採用中微公司的設備，這讓三星和SK海力士更加確信，中微的部分系統已足夠成熟，可進行測試。

報道稱，儘管三星和SK海力士尚未作出更大規模部署的決定，但上述測試已讓總部位於上海的中微公司，獲得全球頂尖晶片製造商的認可。

從更廣泛的層面來看，這些測試凸顯美國技術管制的核心悖論：旨在遏制北京半導體發展雄心的措施，反而為中國競爭對手創造了機會，使它們得以在中國境內運營的外資晶圓廠中站穩腳跟。

不過，三星在聲明中稱，公司並未測試將中微公司的設備用於中國工廠，也未曾考慮這樣做。SK海力士也稱，尚未對中微設備在中國市場的適用性進行測試。

美國商務部2023年將三星和SK海力士的中國工廠指定為“經驗證最終用戶”（validated end users，簡稱VEU），允許它們無需單獨申請許可證，即可進口某些受管制的美國設備，但華盛頓在2025年撤銷了VEU授權。

美國隨後向上述兩家晶片製造商頒發2026年度許可證，允許它們將晶片製造設備引入公司位於中國的工廠。

消息人士稱，即便如此，兩家公司仍擔心，華盛頓未來的限制措施可能不僅限於新設備，而是會延伸到其中國工廠已安裝西方設備的維修、保養或更換。它們因此將中國供應商作為後備方案，用於維護和升級現有生產線，而不是擴大在中國的生產能力。

三星在西安設有快閃記憶體（NAND）閃存晶片工廠，SK海力士則在大連設有NAND工廠，在無錫設有DRAM內存晶片工廠，它們的中國工廠嚴重依賴美國公司提供的刻蝕設備。

雖然中國設備製造商在先進光刻和一些檢測系統方面仍落後於海外競爭對手，但他們在刻蝕、沉積、清洗和平面化等領域已經縮小差距，而且成本一般低得多。

受上述消息提振，中國晶片製造類股星期三大幅上漲。中微公司A股股價飆升近13%，追蹤中國半導體材料和設備股票的指數上漲10%，創兩周以來最佳單日表現。

不過，中國供應商要取得突破，仍面臨許多障礙，包括漫長的認證流程、較小的服務網絡、知識產權問題，以及來自華盛頓的潛在政治壓力等。此外，由於安全和知識產權的風險，韓國晶片製造商會否在國內工廠安裝中國設備也不明朗。