华为的新手机Mate 60 Pro上市，很不容易，可喜可贺。但人们要清楚地认识到中国芯片制造的短板：没有ASML光刻机，中国只能制造出90纳米的芯片。据说今年年底中国将造出28纳米的光刻机【注1】。即便如此，要用国产光刻机以高良率量产14-28纳米的芯片还要一段时间（2-3年）。

华为新手机用的是7纳米芯片，据说是在以前购买的荷兰DUV光刻机上采取特殊手段生产的（要么用多次曝光，要么以软件特别设计），其良率不清楚。即便良率在90%以上，特殊手段已到达荷兰DUV机器的极限了。

工欲善其事，必先利其器。中国以后若想生产出5纳米4纳米的芯片，必须使用更高级的EUV光刻机。而此类光刻机一直被美国荷兰禁运，中国从来都没有获得过一台，想必以后亦是如此。

为何一定要研发EUV光刻机？中芯国际的首席执行官梁孟松【注2】曾明确表示，中芯国际无需EUV就能达成7纳米，当然后续的5纳米3纳米是必须要有EUV的。其实台积电第一代7纳米也没有用EUV而是继续传统DUV，7nm+才有限导入EUV。中芯国际目前跟台积电有1.5-2代的技术差距，在没有EUV的情况下，这个差距是没有办法追上的。

所以，中国以后没有别的路，只有研发自己的DUV与EUV光刻机。而这样做，没有10-15年的时间不可能做到。然后还要追赶西方前进的步伐，制造2纳米1纳米的芯片。这样又得10多年光景；详见下面所附本人在去年12月发表的一篇博文的分析。

总之，中国芯片要赶上世界先进水平，恐怕需要20年甚至更长时间。大炼钢铁不可取，弯道超车不可能，只能踏踏实实，认认真真，精工细作，长期投入，不离不弃，持之以恒。如此这般，才能修成正果。

【注1】2023年8月9日，相关媒体消息称，上海微电子正极力研发28纳米浸润式DUV光刻机，预计在2023年底将交付国产第一台SSA/800-10W光刻机设备。

【注2】来自台湾的梁孟松是中国7纳米制程的关键人物，加州伯克利分校电子工程博士，被华尔街成为“晶片魔法师”。1992年加入台积电，是早期台积电的主力研发人才之一。2011年加入韩国三星，2017年因台积电诉讼转而加入中芯国际，同时带走了一个二十多人的团队。梁孟松的到来，使得中芯国际的制程技术从28纳米在几年内跃升至7纳米，他同时还为中芯国际招揽了200多名技术人才，很多来自台湾新竹科学园区。

～～～～～～～～～～～

《中国芯片制造的实际水平与发展方向》

https://blog.creaders.net/u/13701/202212/451360.html#

（2022年12月19日）

从完整的生产链考虑，芯片制造有四大关键：芯片设计、光刻机制造、芯片制程（工艺）、芯片封测。这四大关键可简称为：软件、工具、工艺、封测。用通俗的话说，芯片制造的过程就是，先以软件设计，再用工具按照一定工艺制作，最后将成品封装测试。

中国芯片制造业在这四大关键的水平如下。

芯片设计：接近世界水平（与高通的水平差不多）

光刻机器：刚达90纳米，正在朝28纳米努力（最新ASML光刻机3纳米）

芯片制程：14纳米工艺（台积电5纳米工艺，正接近2-3纳米；Intel 7纳米）

芯片封测：接近世界水平（达5纳米）

总体而言，世界目前最先进的量产芯片在5纳米的水平，今后5年内可能实现2至3纳米。台积电将在美国建立的工厂就准备生产2-3纳米的晶圆片。

到目前为止，中国从国外所购买的光刻机最好的只有28纳米的DUV水平。由于美国禁运，中国无法得到14纳米以下的EUV光刻机。例如2018年，中国曾试图向ASML购买7纳米的EUV光刻机，但最终未获许可。据报道，中国的14纳米芯片工艺是在28纳米的DUV光刻机上实现的，但良率与成本不够理想。随着美国加大禁运力度，以后恐怕连28纳米刻光机都买不到了。

截止2022年，国产光刻机只有90纳米的水平。根据水桶理论，在今后相当长的一段时间里，中国量产芯片的最好水平将限制于10-14纳米，并且芯片生产的良率与成本有待大幅度提升。

芯片制造过去一直是在多国分工合作下进行的。现在美国打压禁运，中国已无法获取所需晶片与刻光机。这迫使中国在四大关键领域同时研发软硬件与技术工艺，费时费力费钱。此乃无可奈何的事情。

综上所述，中国在整个芯片生产中，软件与封装尚可，工具和工艺落后，尤以工具（光刻机）为甚者；若要全面赶超，需要充裕的人物力时间与持之以恒的决心。

就中国军用而言，目前有14-90纳米的芯片似乎足矣，也不必考虑良率与生产成本（反正打仗就是烧钱）。民用，除一部分领域（如高档手机），当然也够用。但从国际贸易国际竞争力的角度来看，拥有高端芯片制造技术与低成本的中低端芯片制造能力，却是必不可少的。此外，在先进武器装备安装高端芯片将是今后的趋势，绝不可忽视。

这里，高中低端芯片定义为：高端 -- 20纳米以下；中端20 -- 40纳米；低端 -- 40纳米以上。特别要指出的是，研发成功与量产成功之间有巨大的差别，用两个词可以表述：良率、成本。

有鉴于此，中国芯片制造在今后10年有以下三个发展方向：

（1）努力降低中低端芯片（40-90纳米）的制造成本，使其接近世界水平

（2）研发出14-28纳米的光刻机，为以后生产5-7纳米芯片积累经验

（3）将芯片制程技术提高到5-10纳米的水平

当上述三个任务完成后，中国就具备了赶超世界先进芯片制造的基础。注意，这里只是基础，要赶超仍需时日。这是因为，你在进步，别人也在进步。

假设15年后有了一条自主的完整的10纳米产业链，再给一个15年（从现在起总共30年，即到了2052年），中国的芯片制造就有可能达到世界先进水平，并且不会受制于人。话虽如此，如果这期间走了弯路，中国赶超世界先进的芯片制造水平可能需要更长的时间。芯片制造跟电动车制造不同，大炼钢铁适得其反，弯道超车不大可能，只能稳扎稳打慢工出细活。