華為的新手機Mate 60 Pro上市，很不容易，可喜可賀。但人們要清楚地認識到中國芯片製造的短板：沒有ASML光刻機，中國只能製造出90納米的芯片。據說今年年底中國將造出28納米的光刻機【注1】。即便如此，要用國產光刻機以高良率量產14-28納米的芯片還要一段時間（2-3年）。

華為新手機用的是7納米芯片，據說是在以前購買的荷蘭DUV光刻機上採取特殊手段生產的（要麼用多次曝光，要麼以軟件特別設計），其良率不清楚。即便良率在90%以上，特殊手段已到達荷蘭DUV機器的極限了。

工欲善其事，必先利其器。中國以後若想生產出5納米4納米的芯片，必須使用更高級的EUV光刻機。而此類光刻機一直被美國荷蘭禁運，中國從來都沒有獲得過一台，想必以後亦是如此。

為何一定要研發EUV光刻機？中芯國際的首席執行官梁孟松【注2】曾明確表示，中芯國際無需EUV就能達成7納米，當然後續的5納米3納米是必須要有EUV的。其實台積電第一代7納米也沒有用EUV而是繼續傳統DUV，7nm+才有限導入EUV。中芯國際目前跟台積電有1.5-2代的技術差距，在沒有EUV的情況下，這個差距是沒有辦法追上的。

所以，中國以後沒有別的路，只有研發自己的DUV與EUV光刻機。而這樣做，沒有10-15年的時間不可能做到。然後還要追趕西方前進的步伐，製造2納米1納米的芯片。這樣又得10多年光景；詳見下面所附本人在去年12月發表的一篇博文的分析。

總之，中國芯片要趕上世界先進水平，恐怕需要20年甚至更長時間。大煉鋼鐵不可取，彎道超車不可能，只能踏踏實實，認認真真，精工細作，長期投入，不離不棄，持之以恆。如此這般，才能修成正果。

【注1】2023年8月9日，相關媒體消息稱，上海微電子正極力研發28納米浸潤式DUV光刻機，預計在2023年底將交付國產第一台SSA/800-10W光刻機設備。

【注2】來自台灣的梁孟松是中國7納米製程的關鍵人物，加州伯克利分校電子工程博士，被華爾街成為“晶片魔法師”。1992年加入台積電，是早期台積電的主力研發人才之一。2011年加入韓國三星，2017年因台積電訴訟轉而加入中芯國際，同時帶走了一個二十多人的團隊。梁孟松的到來，使得中芯國際的製程技術從28納米在幾年內躍升至7納米，他同時還為中芯國際招攬了200多名技術人才，很多來自台灣新竹科學園區。

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《中國芯片製造的實際水平與發展方向》

https://blog.creaders.net/u/13701/202212/451360.html#

（2022年12月19日）

從完整的生產鏈考慮，芯片製造有四大關鍵：芯片設計、光刻機製造、芯片製程（工藝）、芯片封測。這四大關鍵可簡稱為：軟件、工具、工藝、封測。用通俗的話說，芯片製造的過程就是，先以軟件設計，再用工具按照一定工藝製作，最後將成品封裝測試。

中國芯片製造業在這四大關鍵的水平如下。

芯片設計：接近世界水平（與高通的水平差不多）

光刻機器：剛達90納米，正在朝28納米努力（最新ASML光刻機3納米）

芯片製程：14納米工藝（台積電5納米工藝，正接近2-3納米；Intel 7納米）

芯片封測：接近世界水平（達5納米）

總體而言，世界目前最先進的量產芯片在5納米的水平，今後5年內可能實現2至3納米。台積電將在美國建立的工廠就準備生產2-3納米的晶圓片。

到目前為止，中國從國外所購買的光刻機最好的只有28納米的DUV水平。由於美國禁運，中國無法得到14納米以下的EUV光刻機。例如2018年，中國曾試圖向ASML購買7納米的EUV光刻機，但最終未獲許可。據報道，中國的14納米芯片工藝是在28納米的DUV光刻機上實現的，但良率與成本不夠理想。隨着美國加大禁運力度，以後恐怕連28納米刻光機都買不到了。

截止2022年，國產光刻機只有90納米的水平。根據水桶理論，在今後相當長的一段時間裡，中國量產芯片的最好水平將限制於10-14納米，並且芯片生產的良率與成本有待大幅度提升。

芯片製造過去一直是在多國分工合作下進行的。現在美國打壓禁運，中國已無法獲取所需晶片與刻光機。這迫使中國在四大關鍵領域同時研發軟硬件與技術工藝，費時費力費錢。此乃無可奈何的事情。

綜上所述，中國在整個芯片生產中，軟件與封裝尚可，工具和工藝落後，尤以工具（光刻機）為甚者；若要全面趕超，需要充裕的人物力時間與持之以恆的決心。

就中國軍用而言，目前有14-90納米的芯片似乎足矣，也不必考慮良率與生產成本（反正打仗就是燒錢）。民用，除一部分領域（如高檔手機），當然也夠用。但從國際貿易國際競爭力的角度來看，擁有高端芯片製造技術與低成本的中低端芯片製造能力，卻是必不可少的。此外，在先進武器裝備安裝高端芯片將是今後的趨勢，絕不可忽視。

這裡，高中低端芯片定義為：高端 -- 20納米以下；中端20 -- 40納米；低端 -- 40納米以上。特別要指出的是，研發成功與量產成功之間有巨大的差別，用兩個詞可以表述：良率、成本。

有鑑於此，中國芯片製造在今後10年有以下三個發展方向：

（1）努力降低中低端芯片（40-90納米）的製造成本，使其接近世界水平

（2）研發出14-28納米的光刻機，為以後生產5-7納米芯片積累經驗

（3）將芯片製程技術提高到5-10納米的水平

當上述三個任務完成後，中國就具備了趕超世界先進芯片製造的基礎。注意，這裡只是基礎，要趕超仍需時日。這是因為，你在進步，別人也在進步。

假設15年後有了一條自主的完整的10納米產業鏈，再給一個15年（從現在起總共30年，即到了2052年），中國的芯片製造就有可能達到世界先進水平，並且不會受制於人。話雖如此，如果這期間走了彎路，中國趕超世界先進的芯片製造水平可能需要更長的時間。芯片製造跟電動車製造不同，大煉鋼鐵適得其反，彎道超車不大可能，只能穩紮穩打慢工出細活。